- легирование примесью
- impurity doping
атом примеси — impurity atom
добавление примеси — doping
мелкая примесь — fine impurit
след примеси — trace impurity
грубая примесь — gross impurit
Русско-английский новый политехнический словарь. 2005.
атом примеси — impurity atom
добавление примеси — doping
мелкая примесь — fine impurit
след примеси — trace impurity
грубая примесь — gross impurit
Русско-английский новый политехнический словарь. 2005.
легирование примесью из раствора — tirpalinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solute doping vok. Dotierung aus der Lösung, f rus. легирование примесью из раствора, n pranc. dopage de la solution, m … Radioelektronikos terminų žodynas
легирование примесью, уменьшающей время жизни неосновных носителей — šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmę mažinantis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lifetime killer doping vok. Dotierung mit trägerlebensdauerverkürzenden Fremdstoffen, f rus. легирование примесью, уменьшающей время … Radioelektronikos terminų žodynas
легирование — см. Легировать. * * * легирование (нем. legieren сплавлять, от лат. ligo связываю, соединяю), 1) введение в состав металлических сплавов так называемых легирующих элементов (например, в сталь Cr, Ni, Мо, W, V, Nb, Ti и др.) для придания… … Энциклопедический словарь
легирование акцепторной примесью — akceptorinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. acceptor type doping; p type doping vok. Dotierung von Akzeptoren, f; p Dotierung, f rus. легирование акцепторной примесью, n pranc. dopage type p, m … Radioelektronikos terminų žodynas
легирование донорной примесью — donorinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. donor type doping; n type doping vok. Dotierung von Donatoren, f; n Dotierung, f rus. легирование донорной примесью, n pranc. dopage type n, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Дельта-легирование — англ. delta doping или англ. δ doping внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы в полупроводниках выращенных эпитаксиальными методами. Для внерения легирующей примеси процесс роста останавливают и запускают газ… … Википедия
Dotierung aus der Lösung — tirpalinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solute doping vok. Dotierung aus der Lösung, f rus. легирование примесью из раствора, n pranc. dopage de la solution, m … Radioelektronikos terminų žodynas
dopage de la solution — tirpalinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solute doping vok. Dotierung aus der Lösung, f rus. легирование примесью из раствора, n pranc. dopage de la solution, m … Radioelektronikos terminų žodynas
solute doping — tirpalinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solute doping vok. Dotierung aus der Lösung, f rus. легирование примесью из раствора, n pranc. dopage de la solution, m … Radioelektronikos terminų žodynas
tirpalinis legiravimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solute doping vok. Dotierung aus der Lösung, f rus. легирование примесью из раствора, n pranc. dopage de la solution, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Dotierung mit trägerlebensdauerverkürzenden Fremdstoffen — šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmę mažinantis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lifetime killer doping vok. Dotierung mit trägerlebensdauerverkürzenden Fremdstoffen, f rus. легирование примесью, уменьшающей время … Radioelektronikos terminų žodynas